芯片巨头恩智浦彻底退出5G射频芯片制造

12月14日消息，据媒体Light Reading报道，芯片巨头恩智浦（NXP）已正式敲定重大战略调整：将关闭位于美国亚利桑那州钱德勒的ECHO Fab晶圆厂，并彻底退出氮化镓（GaN）5G PA（功率放大器）芯片制造业务，为其在该领域的布局画上句号。

曾承载恩智浦 5G 野心的 6 英寸晶圆厂，2020 年 9 月投产时为当时最先进的氮化镓 5G PA 芯片生产设施，恩智浦曾投入超 1 亿美元升级设备与研发工艺，期望借此主导 5G 基站射频市场。然而它将在 2027 年一季度完成最后一片晶圆生产，生命周期远低于同类设施 15-20 年的平均水平，成行业罕见 “短命” 高端产线。

恩智浦表示，战略收缩主因 5G 市场持续低迷：全球运营商因投资回报不足放缓 5G 部署，基站建设不及预期且无复苏迹象，Omdia 数据显示全球 5G 设备收入两年内从 450 亿美元降至 350 亿美元，行业寒冬冲击上游。在此背景下，射频功率（PA）业务不符长期战略，公司决定缩减并剥离该业务。

技术策略滞后亦是关键诱因，恩智浦未跟上大规模 MIMO 普及、频谱高频迁移、氮化镓替代硅基 LDMOS 等 5G 核心趋势，市场份额被住友电工等对手超越。此次关闭的 ECHO Fab 晶圆厂（2015 年收购飞思卡尔所得）虽影响少量员工，却象征其彻底放弃这一曾为核心优势的业务线。

该决策将引发连锁反应：恩智浦停产生氮化镓及传统 LDMOS 射频芯片后，爱立信、诺基亚等设备商元器件选择收窄，供应链多样性面临挑战，需紧急评估替代方案。恩智浦强调，钱德勒园区其他产线不受影响，未来将聚焦汽车电子等更具增长潜力的领域。

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